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第376章 极紫外光刻机(2 / 3)

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  包括了光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。
  至于ic封测,就是完成对芯片的封装和性能、功能测试,是产品交付前的最后工序。
  ic设计就不提了,苏扬有苹果a6处理器的技术,其中就包括了32nm芯片的设计。
  另外,商城挂着的inter酷睿系列,也有45nm——14nm芯片的工艺技术。
  而在ic制造中,光刻又是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。
  其中的难点和关键点,在于将电路图从掩模上转移至硅片上。
  这一过程,目前只能通过光刻,才能最有效地实现。
  所以,光刻的工艺水平,往往直接决定了芯片的制程水平和性能水平。
  安正国找来技术人员和材料,在苏扬的指导下,这些专业生产芯片的员工,初步了解到这台光刻机的使用流程。
  光刻的原理,实际上非常简单。
  在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性的光刻胶,再用光线透过掩模照射在硅片表面。
  被光线照射到的光刻胶,会发生反应。
  此后,再用特定的溶剂洗去被照射或未被照射的光刻胶,就实现了电路图从掩模到硅片的转移。
  这和华夏古代的印刷术,实际上有一些相似之处,但光刻技术却比印刷术难了千万倍。
  一般的光刻步骤,有气相成底膜、旋转涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜。
  接着,就是进行检测,主要是显影检测,让合规的硅片进入后续的蚀刻流程。
  所谓蚀刻,便是通过化学或物理的方法,有选择地从硅片表面,除去不需要材料的过程。
  完成之后,就能通过特定溶剂,洗去硅片表面残余的光刻胶了。
  当然,这是最简易的光刻步骤,在实际生产制造中,比这复杂了上百倍。
  从开始光刻,到最后洗去残余的光刻胶,几个步骤,就足足花了三个多小时。
  当然,这里面也有一些员工刚刚接触新设备,操作不顺手的因素。
  当时间来到下午四点半的时候。
  车间内,一片惊喜和欢腾的景象。
  “出来了,居然真的做出来了!”
  “60nm的电路图,居然真的被我们转移到了硅片上。”
  “不可思议啊!全华夏能做60nm芯片的企业,不超过三家,而且全是在18年下半年才刚刚突破的技术,还是在实验室里!做到量产的话,得到今年年底,甚至是明年年初去了。”
  “是啊,而我们现在,却拥有了一台可以量产60nm芯片的光刻机,如果操作熟练了,速度提上去,再进行交替光刻,一天至少可以造上数百片12寸的圆晶啊!”
  “这是一个突破,了不起的突破,如果我们把这里发生的事情,宣布出去,足以震惊整个华夏,乃至是中央都要被惊动!”
  华夏在半导体行业,被压了太多年了。
  从上个世纪以来,就一直跟在西方国家的屁股后面跑,说是向人家乞讨技术也不为过。 ↑返回顶部↑

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